2026年03月23日

パワーエレクトロニクス,AI&データ,産業機械・ロボティクス,大学・研究機関,ネットワーキング,その他

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター「11th CIES Technology Forum」(成果報告会・国際シンポジウム)

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター「11th CIES Technology Forum」(成果報告会・国際シンポジウム)

産学コンソーシアム活動並びに国家プロジェクトに係る研究成果等について世界に向けて広く情報発信するとともに、集積エレクトロニクス技術分野における世界の一流研究者と知識の交換を図ることにより、国際産学連携研究の一層の促進を図ることを目的に開催いたします。
初日には、CIESコンソーシアムにおけるスピントロニクス、AIハードウェア、パワーエレクトロニクスに関する成果をご報告させていただきます。2日目には、次世代MRAMをコアとする先端メモリ技術からAIデータセンター・電力変換・車載応用までデバイス/システム横断型の国際シンポジウムを予定しています。初日の成果報告会後には意見交換会も予定しております。
皆様ぜひご参加ください。

日時
2026年3月23日(月)13:30~17:05(13:00開場)(DAY1 成果報告会)
2026年3月23日(月)17:30~19:30(意見交換会/Banquet)
2026年3月24日(火)9:00~12:30(8:30開場)(DAY2 国際シンポジウム)
場所
室町三井ホール&カンファレンス
参加対象者
CIESコンソーシアムにおけるスピントロニクス、AIハードウェア、パワーエレクトロニクスに関する成果報告及び次世代MRAMをコアとする先端メモリ技術からAIデータセンター・電力変換・車載応用までデバイス/システム横断型の国際シンポジウムにご関心の方
費用
無料 (意見交換会は参加費5,000円程度予定)
申込締切
意見交換会参加の場合は2026年3月16日(月)まで
定員
200名
お問合せ先
東北大学
国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES) 
support-office@cies.tohoku.ac.jp
TEL 022-796-3410
FAX 022-796-3432
主催
主催:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)
共催:東北大学電気通信研究所(RIEC)
後援:内閣府、文部科学省、経済産業省、特許庁、日本学術振興会、科学技術振興機構、新エネルギー・産業技術総合開発機構、工業所有権情報・研修館
備考/注意事項

プログラム

DAY 1 2026年3月23日(月) 成果報告会
時間 内容
13:30-13:35 主催者挨拶
東北大学総長 冨永 悌二
13:35-13:55 来賓挨拶
SEMIジャパン代表 浜島 雅彦
文部科学省 研究開発局長 坂本 修一
経済産業省 大臣官房審議官(イノベーション・環境局担当) 今村 亘
特許庁 審査第四部長 仁科 雅弘
13:55-14:30 CIES概要説明
遠藤 哲郎 (東北大学)
14:30-15:00 産学共同研究
不揮発性ワーキングメモリを目指したSTT-MRAMとその製造技術の研究開発
池田 正二(東北大学)
15:00-15:20 産学共同研究
脳型演算処理回路技術の研究開発
遠藤 哲郎(東北大学)
15:20-15:40 産学共同研究
強磁性トンネル接合素子を用いた高感度磁気センサの開発
大兼 幹彦(東北大学)
15:40-15:55 休憩
15:55-16:10 文科省次世代X-nics半導体創生拠点形成事業
スピントロニクス融合半導体創出拠点
遠藤 哲郎(東北大学)
16:10-16:25 NEDO省エネAI半導体及びシステムに関する技術開発事業
CMOS/スピントロニクス融合技術によるAI処理半導体の設計効率化と実証及びその応用技術
羽生 貴弘(東北大学)
16:25-16:45 産学共同研究
SiC双方向スイッチの優れた性能を引き出す次世代電力変換技術の研究開発
Alberto Castellazzi(東北大学)
16:45-17:00 文科省革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業
脱炭素社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクスの研究開発
髙橋 良和(東北大学)
17:00-17:05 閉会挨拶
遠藤 哲郎(東北大学)
17:30-19:30 意見交換会
会場:ホワイエ
DAY 2 2026年3月24日(火) 国際シンポジウム
時間 内容
9:00-9:10 Opening remarks
Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.)
9:10-9:35 Invited talk 1
An MRAM-based Hybrid Memory Architecture: Possibilities and Challenges
Hiroaki Kobayashi (Tohoku Univ.)
9:35-10:00 Invited talk 2
Demonstration of Embedded MRAM with sub-50 nm MTJ for RAM-like and MCU Applications
Eric Wang (TSMC)
10:00-10:25 Invited talk 3
A 64Gb DDR4 STT-MRAM Using a Timing-Controlled Discharge-Reading Scheme for a 0.001681μm2 1Selector-1MTJ Cross-Point Cell
Kosuke Hatsuda (KIOXIA)
10:25-10:50 Invited talk 4
STT-MRAM for Last Level Cache
Daniel Worledge (IBM)
10:50-11:15 Invited talk 5
AI Datacenters leveraging IOWN technologies
Yuichi Ikejiri (NTT)
11:15-11:35 Invited talk 6
Next Generation Solid-State-Transformer Concepts for AI Datacenters
Johann W. Kolar (ETH Zurich)
11:35-12:00 Invited talk 7
Exploring Reinforcement Learning Algorithms for Power Electronics
Uwe Drofenik (TU Wien)
12:00-12:25 Invited talk 8
Technological Trends in Power Modules and Power Devices for automotive applications
Takuya Kadoguchi (DENSO)
12:20-12:30 Closing remarks
Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.)